隨著(zhù)微電子行業(yè)的發(fā)展，傳統的電子封裝技術(shù)已經(jīng)不能完全滿(mǎn)足要求，因為這種封裝技術(shù)設計復雜，成本高，同時(shí)限制了IC的性能和可靠性。硅片切割工藝的效果直接影響到芯片的性能和效益。

芯片的劃片方法與典型IC的劃片方法不同。常規的IC砂輪劃片是通過(guò)高速旋轉砂輪刀片，以完成對材料的切削，從而實(shí)現切削。因為刀片的高速旋轉，經(jīng)常需要用純水來(lái)冷卻和沖洗，所以刀片的高速旋轉產(chǎn)生的壓力和扭力，純水的沖洗產(chǎn)生的沖擊力，以及碎屑和縫隙的污染，都很容易對MEMS芯片的機械微結結構造成不可逆轉的破壞。因此一般IC砂輪劃片不適合MEMS晶片劃片。

激光切割技術(shù)就是在這種情況下出現的，它被廣泛地應用于MEMS晶片，RFID晶片和Memory晶片。

作為激光切割晶圓的一種方案，激光切割很好地避免了砂輪切割中的問(wèn)題。利用單脈沖脈沖激光進(jìn)行光學(xué)整形，使材料表面聚焦于材料內部，從而在聚焦區域內提高能量密度，從而形成多光子吸收的非線(xiàn)性吸收效應，從而使材料改性產(chǎn)生裂紋。每個(gè)激光脈沖都等距作用，形成等距損傷就可以在材料中形成改質(zhì)層。改變層中材料的分子鍵被破壞，材料之間的連接變得脆弱且容易分離。切削完畢后通過(guò)拉伸承載膜的方式，使產(chǎn)品完全分離，并使芯片和芯片之間產(chǎn)生間隙。這種處理方式避免了由機械直接接觸和純水沖刷造成的損壞。

萊塞激光切割技術(shù)可以用于藍寶石/玻璃/硅和許多半導體晶片等化合物。